2025.09.17 < 반도체 D1C부터 들어가는 기술, DRY PR > 1) 반도체는 웨이퍼 위에 머리카락보다 훨씬 가는 회로를 새겨 넣는 공정으로 만들어진다. 이때 사용하는 핵심 재료가 PR(Photoresist, 감광액)이다. PR은 빛을 받으면 녹아내리는 반죽처럼 생각하면 쉽다. 특정 영역에 빛을 쏘아내면 그 부분만 녹아내려 패턴이 새겨지는 방식이다. 2) 지금까지는 액체 형태의 PR을 웨이퍼 위에 뿌려 사용하는 WET PR 방식이 주류였다. 하지만 회로 선폭이 10nm 이하로 내려가면서 문제가 생기기 시작했다. 액체에는 표면장력이 있기 때문에 너무 미세한 패턴에서는 물방울처럼 뭉치거나 흘러내려 회로가 무너지기 때문이다. 이렇게 되면 수율이 급격히 떨어지고 불량률이 높아진다. 3) 이를 해결하기 위해 등장한 것이 DRY PR이다. 액체 대신 기체 상태의 전구체(Precursor)를 증착(CVD)해 웨이퍼 위에 아주 얇은 막을 입히는 방식이다. 기체는 표면장력이 없기 때문에 회로가 무너질 우려가 없고, 훨씬 더 미세한 패턴 구현이 가능하다. 4) 파운드리 분야에서는 이미 2nm급 개발에 DRY PR을 적용하고 있지만, DRAM은 아직 적용되지 않았다. DRAM은 소품종 대량생산 구조라 한 번 적용되면 설비와 소모품 수요가 폭발적으로 늘어나기 때문에 신기술 도입이 더 신중하다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스는 D1b 공정을 양산 중이며, 차세대 D1C부터는 DRY PR 적용이 사실상 불가피하다. 5) 국내에서 이 DRY PR 핵심 전구체를 개발한 기업이 디엔에프다. 전구체는 DRY PR 성능을 결정하는 핵심 소재로, 디엔에프는 기술력을 인정받아 솔브레인으로부터 약 30% 지분 투자를 받았고 삼성전자에서도 약 7% 투자를 유치했다. 현재 국책과제로 삼성과 함께 D1C 적용 소재를 공동 개발 중이다. 6) 디엔에프는 DRY PR이 DRAM에 적용돼 양산성 검증만 끝나면 대규모 공급이 가능한 상태다. 아직 실적은 가격 덤핑 경쟁 탓에 부진했지만, 경쟁사 한솔케미칼의 저가 공급이 올해부터 정상화되며 하반기 흑자전환 가능성이 높다. 7) 여기에 추가적인 모멘텀도 있다. 첫째는 하프늄(Hf) 전구체다. DRAM에서 High-k 유전막을 증착할 때 반드시 필요하지만, 현재는 일본 트리케미칼이 특허를 보유해 독점하고 있다. 해당 특허가 2026년 말 만료되며, 디엔에프는 이미 소재 평가를 마쳐 공급이 가능하다. 둘째는 낸드용 몰리브덴(Mo) 전구체 공급 준비다. 8) 정리하면 디엔에프는 D1C부터 본격 적용될 DRY PR의 핵심 전구체를 공급할 유력 후보이며, 향후 하프늄과 몰리브덴까지 포트폴리오를 확장할 수 있다. 가격 덤핑에 따른 실적 부진이 끝나고 DRY PR 양산이 본격화된다면 소재 분야에서 뚜렷한 해자를 가진 기업으로 자리잡을 가능성이 높다.